设计开关电源的难题


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RCD排汇电路中的R值假如过小,就会降落的效率。然而,假如R值假如过大,MOS管就存在着被击穿的风险。

  一﹑实验调剂VRCD值

  首先假如一个RC参数,R=100K/RJ15,C=10nF/1KV。再上市电,应遵照先低压后低压,再由轻载到重载的准则。在实验时应该周密注目RC元件上的电压值,务必使VRCD小于盘算值。如发明抵达盘算值,就应该立刻断电,待将R值减小后,反复以上实验。(RC元件上的电压值是用示波器视察的,示波器的地接到输入电解电容“+”极的RC一点上,测试点接到RC另一点上)。一个适宜的RC值应该在最高输入电压,最重的电源负载下,VRCD的实验值等于实践盘算值。

  二﹑实验中值得注重的景象

  输入电网电压越低VRCD就越高,负载越重VRCD也越高。那么在最低输入电压,重负载时VRCD的实验值假如大于以上实践盘算的VRCD值,能否和(三)的内容相抵触哪?一点都不抵触,实践值是在最高输入电压时的盘算后果,而如今是低输入电压。重负载是指能够抵达的最大负载。主要是通过实验测得的极限功率。

  三﹑RCD排汇电路中R值的功率抉择

  R的功率抉择是依实测VRCD的最大值,盘算而得。实践抉择的功率应大于盘算功率的两倍。


  四﹑对MOS管的VD进行分段:

  ⅰ,输入的直流电压VDC;

  ⅱ,次级反射高级的VOR;

  ⅲ,主MOS管VD余量VDS;

  ⅳ,RCD排汇有效电压VRCD1。

  五﹑关于以上主MOS管VD的几部分进行盘算:

  ⅰ,输入的直流电压VDC。

  在盘算VDC时,是依最高输入电压值为准。如宽电压应抉择AC265V,即DC375V。

  VDC=VAC×√2

  ⅱ,次级反射高级的VOR。

  VOR是依在次级输入最高电压,整流二极管压降最大时盘算的,如输入电压为:5。0V±5%(依Vo=5。25V盘算),二极管VF为0。525V(此值是在1N5822的材料中查找额外电流下VF值).

  VOR=(VFVo)×Np/Ns

  ⅲ,主MOS管VD的余量VDS.

  VDS是依MOS管VD的10%为最小值.如KA05H0165R的VD=650应抉择DC65V.

  VDC=VD×10%

  ⅳ,RCD排汇VRCD.

  MOS管的VD减去ⅰ,ⅲ三项就剩下VRCD的最大值。实践选取的VRCD应为最大值的90%(这里主要是斟酌到各个元件的疏散性,温度漂移和时光飘移等因素得影响)。

  VRCD=(VD-VDC-VDS)×90%

  注重:①VRCD是盘算出实践值,再通过实验进行调剂,使得实践值与实践值相吻合.

  ②VRCD必需大于VOR的1。3倍.(假如小于1。3倍,则主MOS管的VD值抉择就太低了)

  ③MOS管VD应该小于VDC的2倍.(假如大于2倍,则主MOS管的VD值就过大了)

  ④假如VRCD的实测值小于VOR的1。2倍,那么RCD吸发出路就影响效率。

  ⑤VRCD是由VRCD1和VOR组成的

  ⅴ,RC时光常数τ肯定.

  τ是依任务频率而定的,个别抉择10~20个周期。

  

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